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电子元器件详细资料 » IC[27077] » SI3458BDV-T1-GE3
型号:SI3458BDV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 3.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs11nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds350pF @ 30V
功率_最大3.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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SI3458BDV-T1-GE3相关型号

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